產品拆解顯示惠普65W USB-C PD/PPS雙輸出電源適配器采用Transphorm SuperGaN® FET技術

高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)功率轉換產品的先鋒和全球供應商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今天宣布，其GaN技術已用于惠普的USB-C PD/PPS電源適配器。這一設計案例鞏固了Transphorm氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)技術在25瓦至350瓦的中低功率適配器領域的地位。

SuperGaN®技術的獨特之處

惠普電源適配器采用了Transphorm的SuperGaN第四代TP65H300G4LSG 650V GaN FET。該技術具備易設計性，兼具高性能和高可靠性，已成為Transphorm GaN器件的代名詞。

此外，Transphorm最近完成了超過1000億小時的現場可靠性數據統(tǒng)計，失效率(FIT)率小于0.05。這些統(tǒng)計數據涵蓋了廣泛的功率等級，覆蓋從25瓦到3.6千瓦的任務關鍵型應用。

此前已經證實，與較大的裸片（如175毫歐）增強型GaN器件相比，Transphorm的較小裸片（即240毫歐）SuperGaN FET在150℃時的導通電阻增加率較低(23%)，并且在50%和100%（滿載）功率下表現出更高的性能。這得益于該技術平臺的內在優(yōu)勢。

Transphorm現場應用和技術銷售副總裁Tushar Dhayagude表示：“這對Transphorm來說是一項重要的設計案例，因為客戶看到了我們對質量、可靠性以及頂級性能的追求所帶來的好處。如今，諸如惠普這樣的頂級客戶也在接受我們的產品。我們的GaN FET適用于各種控制器，具有現成的集成式驅動器，因此便于設計和驅動。如今，隨著我們的產品持續(xù)在低功耗和高功率領域的不同市場中得到普及，設計和驅動便利性變得越來越重要�！�

關于Transphorm

Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領導者，致力于設計、制造和銷售用于高壓電源轉換應用的高性能、高可靠性的氮化鎵半導體功率器件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵知識產權組合之一，持有或取得授權的專利超過1,000多項，在業(yè)界率先生產經JEDEC和AEC-Q101認證的高壓氮化鎵半導體器件。得益于垂直整合的業(yè)務模式，公司能夠在產品和技術開發(fā)的每一個階段進行創(chuàng)新：設計、制造、器件和應用支持。Transphorm的創(chuàng)新正在使電力電子設備突破硅的局限性，以使效率超過99%、將功率密度提高40%以及將系統(tǒng)成本降低20%。Transphorm的總部位于加州戈利塔，并在戈利塔和日本會津設有制造工廠。