系統(tǒng)級封裝可以為USB-C PD適配器和其他低功耗應(yīng)用提供結(jié)構(gòu)緊湊、經(jīng)濟(jì)實惠、快速面市的解決方案
Transphorm將參加2023年應(yīng)用電力電子會議，展位號為853
高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)與適配器USB功率輸出(PD)控制器集成電路(IC)的全球領(lǐng)導(dǎo)者偉詮電子(Weltrend Semiconductor Inc., TWSE: 2436)今天宣布，雙方合作推出首個GaN系統(tǒng)級封裝(SiP)。
WT7162RHUG24A是一種集成電路，設(shè)計用于為智能手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦和其他智能設(shè)備充電的45至100瓦USB-C PD電源適配器。峰值功率效率超過93%。器件樣品將在2023年第二季度推出。
除了向市場推新之外，此項公告還標(biāo)志著偉詮電子取得另一項重大成就�，F(xiàn)在新推出的GaN SiP展示了偉詮電子對交流轉(zhuǎn)直流電源市場的承諾。他們使用Transphorm的SuperGaN®技術(shù)，提供了一個完整的系統(tǒng)解決方案。對Transphorm來說，這也是一次良好的證明，確認(rèn)其GaN器件的接口簡易性和卓越性能。
Transphorm將在2023年應(yīng)用電力電子會議(APEC)上首次展示偉詮電子SiP，展位號為853。這兩家公司還將在會議期間發(fā)布有關(guān)WTDB_008 65W USB PD電源適配器評估板的詳細(xì)信息。
偉詮電子總經(jīng)理林崇燾(Tony Lin)表示：“WT7162RHUG24A是業(yè)界首次公開發(fā)布的采用Transphorm GaN的SiP。它能使制造商開發(fā)出成本更低的系統(tǒng)解決方案，因為此解決方案需要的器件更少，而且可以使用更小的PCB，還具有其他優(yōu)點，還能減少系統(tǒng)開發(fā)時間。我們正在高效地幫助適配器制造商消除設(shè)計障礙。值得注意的是，憑借此產(chǎn)品，偉詮電子可以進(jìn)入一個新的市場。這是我們的PWM控制器有史以來的首個SiP，證明了我們對支持大批量增長領(lǐng)域的承諾。而且，通過與GaN FET的集成，我們已經(jīng)提高了性能輸出水平。這是偉詮電子、Transphorm和我們共同客戶的一次共贏。”
Transphorm總裁兼首席運營官Primit Parikh表示：“適配器快充市場是目前GaN應(yīng)用的一個快速增長領(lǐng)域。我們正在擴(kuò)大市場份額，并繼續(xù)創(chuàng)新，最近推出的這款GaN SiP將使我們的GaN器件更易使用。我們很高興能將業(yè)界領(lǐng)先的SuperGaN平臺與偉詮電子的創(chuàng)新型適配器電源控制器技術(shù)結(jié)合起來。偉詮電子提供了一個領(lǐng)先的功率轉(zhuǎn)換平臺，可以為適配器/快速充電器客戶打造一個簡單易用的解決方案，兩家公司都可以利用這個平臺來加速贏得這個市場。”
WT7162RHUG24A的規(guī)格和特點
新推出的SiP集成了偉詮電子的WT7162RHSG08多模式反激式PWM控制器和Transphorm的240毫歐650伏SuperGaN® FET。此表面貼裝器件采用24引腳8x8 QFN封裝，可減少印刷電路板尺寸。其他主要規(guī)格包括：
峰值功率效率：> 93%
功率密度：26 W/in3
寬輸出電壓操作：USB-C PD 3.0和PPS 3.3V~21V
最大頻率：180kHz
目標(biāo)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)：QR反激模式/谷值開關(guān)多模操作
主要特點包括：
特點
優(yōu)勢
可調(diào)節(jié)的GaN FET開啟/關(guān)閉速度
增加EMI測試和解決方案操作的靈活性
不需要外部VDD線性穩(wěn)壓器電路
減少元件數(shù)量
減少封裝寄生效應(yīng)（電感、電阻、電容）
最大限度提高芯片性能
直接從交流主電壓的相線/中性線拉出700V超高壓啟動電流
減少元件數(shù)量
盡管增加了PWM芯片，但仍適用8x8 QFN封裝
支持小外形/小系統(tǒng)封裝
目標(biāo)應(yīng)用和供貨信息
WT7162RHUG24A SiP適用于高性能、小體積USB-C電源適配器，可用于移動/物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備，如智能手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦、耳機(jī)、無人機(jī)、揚聲器、相機(jī)等。
關(guān)于Transphorm
Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領(lǐng)導(dǎo)者，致力于設(shè)計、制造和銷售用于高壓電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的高性能、高可靠性的氮化鎵半導(dǎo)體功率器件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵知識產(chǎn)權(quán)組合之一，持有或取得授權(quán)的專利超過1,000多項，在業(yè)界率先生產(chǎn)經(jīng)JEDEC和AEC-Q101認(rèn)證的高壓氮化鎵半導(dǎo)體器件。得益于垂直整合的業(yè)務(wù)模式，公司能夠在產(chǎn)品和技術(shù)開發(fā)的每一個階段進(jìn)行創(chuàng)新：設(shè)計、制造、器件和應(yīng)用支持。Transphorm的創(chuàng)新使電力電子設(shè)備突破硅的局限性，以使效率超過99%、將功率密度提高40%以及將系統(tǒng)成本降低20%。Transphorm的總部位于加州戈利塔，并在戈利塔和日本會津設(shè)有制造工廠。
關(guān)于偉詮電子
偉詮電子(TWSE: 2436)于1989年成立于“臺灣硅谷”新竹科學(xué)園區(qū)，是一家領(lǐng)先的無晶圓廠半導(dǎo)體公司，專門從事混合信號/數(shù)字IC產(chǎn)品的規(guī)劃、設(shè)計、測試、應(yīng)用開發(fā)和分銷，產(chǎn)品用于電源、電機(jī)控制、圖像處理等多個應(yīng)用領(lǐng)域。
SuperGaN是Transphorm, Inc.的注冊商標(biāo)。所有其他商標(biāo)均為其各自所有者的財產(chǎn)。
