展示面向 AI、計(jì)算和存儲(chǔ)系統(tǒng)的創(chuàng)新應(yīng)用
東京--(美國(guó)商業(yè)資訊)-- Kioxia Corporation 是全球存儲(chǔ)器解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者，公司今日宣布，其研究論文已被 IEEE 國(guó)際電子器件會(huì)議 (IEDM) 2024 接受發(fā)表。IEDM 2024 是享譽(yù)全球的國(guó)際盛會(huì)，將于 12 月 7 日 至 11 日 在美國(guó)舊金山舉行。
Kioxia 致力于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的研發(fā)，這對(duì)于人工智能的進(jìn)步和社會(huì)數(shù)字化轉(zhuǎn)型至關(guān)重要。除了其最先進(jìn)的 3D 閃存技術(shù) BiCS FLASH™ 之外，Kioxia 在新興存儲(chǔ)器解決方案的研究方面也卓有成效。公司不斷努力，以創(chuàng)新的存儲(chǔ)器產(chǎn)品滿足未來(lái)計(jì)算和存儲(chǔ)系統(tǒng)的需求。
現(xiàn)有的計(jì)算系統(tǒng)利用 DRAM（一種主要的存儲(chǔ)器，使 CPU 能夠快速處理數(shù)據(jù)）以及閃存來(lái)存儲(chǔ)海量數(shù)據(jù)。Kioxia 正引領(lǐng)存儲(chǔ)級(jí)存儲(chǔ)器 (SCM) 的研發(fā)，SCM 是一種位于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器層級(jí)結(jié)構(gòu)中 DRAM 和閃存之間的存儲(chǔ)器解決方案，旨在以比 DRAM 更大的容量和比閃存更高的速度處理數(shù)據(jù)。
在 IEDM 上，Kioxia 將揭曉針對(duì)這三種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器而定制的尖端技術(shù)： (1) 一種利用氧化物半導(dǎo)體的新型 DRAM，重點(diǎn)是降低功耗，(2) 適用于更大容量 SCM 應(yīng)用的 MRAM，以及 (3) 具有更高比特密度和性能的新型 3D 閃存結(jié)構(gòu)。
新興存儲(chǔ)器技術(shù)：
1. 氧化物半導(dǎo)體通道晶體管 DRAM (OCTRAM)： 該技術(shù)由南亞科技和 Kioxia Corporation 聯(lián)合開(kāi)發(fā)。雙方開(kāi)發(fā)了一種垂直晶體管，通過(guò)改進(jìn)制造工藝增強(qiáng)了電路集成度。同時(shí)，通過(guò)利用氧化物半導(dǎo)體的特性提升晶體管性能，實(shí)現(xiàn)了極低的電流泄漏。這有望降低各種應(yīng)用的功耗，包括 AI、后 5G 通信系統(tǒng)以及物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品。
論文標(biāo)題：具有 4F2 架構(gòu)的氧化物半導(dǎo)體通道晶體管 DRAM (OCTRAM)（論文編號(hào)：6-1）
2. 高容量交叉點(diǎn) MRAM 技術(shù)： 該技術(shù)由 SK 海力士和 Kioxia Corporation 聯(lián)合開(kāi)發(fā)。通過(guò)該技術(shù)，雙方結(jié)合適用于大容量的選擇器與磁性隧道結(jié)的單元技術(shù)，并應(yīng)用交叉點(diǎn)型陣列的精細(xì)加工技術(shù)，在 MRAM 最小的單元半間距 20.5 納米規(guī)模上實(shí)現(xiàn)了單元讀/寫操作。隨著存儲(chǔ)單元小型化，存儲(chǔ)器可靠性往往會(huì)下降。雙方利用選擇器瞬態(tài)響應(yīng)的新讀出方法，并降低讀取電路的寄生電容，開(kāi)發(fā)出一種潛在的解決方案。該技術(shù)在 AI 和大數(shù)據(jù)處理方面具有實(shí)際應(yīng)用價(jià)值。
論文標(biāo)題：全球最小的 64 Gb 交叉點(diǎn) MRAM 1Selector-1MTJ 單元的可靠存儲(chǔ)器操作和低讀取干擾率（論文編號(hào)：20-1）
3. 采用水平單元堆疊結(jié)構(gòu)的下一代 3D 存儲(chǔ)器技術(shù)： Kioxia 開(kāi)發(fā)了一種新的 3D 結(jié)構(gòu)來(lái)提高可靠性并防止 NAND 型單元性能下降。在傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)中，堆疊層數(shù)增加通常會(huì)導(dǎo)致性能下降。與垂直排列 NAND 型單元的傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)相比，新結(jié)構(gòu)通過(guò)水平堆疊 NAND 型單元。這種結(jié)構(gòu)允許以低成本實(shí)現(xiàn)高比特密度和高可靠性的 3D 閃存。
論文標(biāo)題：先進(jìn)水平通道閃存的卓越可擴(kuò)展性，適用于未來(lái)幾代 3D 閃存（論文編號(hào)：30-1）
Kioxia 的使命是“用‘存儲(chǔ)器’提升世界”，旨在通過(guò)存儲(chǔ)器技術(shù)開(kāi)創(chuàng)新時(shí)代，并將繼續(xù)推動(dòng)研發(fā)，支撐數(shù)字社會(huì)未來(lái)發(fā)展。
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關(guān)于 Kioxia
Kioxia 是全球存儲(chǔ)器解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，致力于閃存和固態(tài)硬盤(SSD)的開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)和銷售。其前身是Toshiba Memory，于2017年4月從Toshiba Corporation（1987年發(fā)明了NAND閃存）剝離出來(lái)。Kioxia 致力于憑借存儲(chǔ)器技術(shù)促進(jìn)世界發(fā)展，該公司提供各種產(chǎn)品、服務(wù)和系統(tǒng)，為客戶提供多樣化選擇，并基于存儲(chǔ)器技術(shù)創(chuàng)造價(jià)值，推動(dòng)社會(huì)的發(fā)展。Kioxia 創(chuàng)新的3D閃存技術(shù)BiCS FLASH™正在塑造存儲(chǔ)技術(shù)在高密度應(yīng)用領(lǐng)域（包括高級(jí)智能手機(jī)、PC、SSD、汽車和數(shù)據(jù)中心）的未來(lái)。
