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SMART Modular 世邁科技推出全新非易失性CXL® E3. S內(nèi)存模塊
來源: 文傳商訊  2025-3-27
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新模塊提供持久性內(nèi)存,支持Checkpointing、快照(Snapshotting)及低延遲寫入緩存功能,滿足高效能數(shù)據(jù)中心計算與存儲應用的嚴苛需求

隸屬Penguin Solutions™ (Nasdaq: PENG) 控股集團,全球?qū)I(yè)整合型內(nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)導者 SMART Modular 世邁科技 (“SMART”)宣布已開始對 Tier 1 OEM 提供符合CXL 2.0標準的全新非易失性CXL內(nèi)存模塊(NV-CMM)樣品。這款創(chuàng)新產(chǎn)品整合非易失性、高效能DRAM內(nèi)存、持久性閃存和獨立電源于單一可插拔的EDSFF規(guī)格中,提供卓越的可靠性及便捷的維護性,適用于數(shù)據(jù)密集型應用。繼去年推出CXL產(chǎn)品后,SMART這次再度發(fā)布NV-CMM模組,持續(xù)拓展CXL產(chǎn)品線并強化技術(shù)布局。

SMART Modular世邁科技資深產(chǎn)品營銷經(jīng)理Torry Steed表示:“NV-CMM內(nèi)存模塊為數(shù)據(jù)中心內(nèi)存技術(shù)帶來顛覆性的創(chuàng)新。通過結(jié)合非易失性內(nèi)存與CXL規(guī)格的優(yōu)勢,我們讓系統(tǒng)集成商能更輕松部署兼具小巧體積、非易失性且高性能的持久性內(nèi)存解決方案!

NV-CMM 的技術(shù)突破與關(guān)鍵優(yōu)勢:

提升系統(tǒng)性能:確保數(shù)據(jù)持久性并簡化恢復流程,顯著提升系統(tǒng)響應速度和整體性能,特別適用于高效能計算、內(nèi)存數(shù)據(jù)庫與實時分析等對寫入延遲敏感的應用。

強化數(shù)據(jù)持久性:內(nèi)建備援電源,在突發(fā)斷電時可確保關(guān)鍵數(shù)據(jù)安全無虞,大幅提高系統(tǒng)可靠度和集群可用性。

高兼容性的外型規(guī)格:采用E3. S2T規(guī)格設計,適用于各種服務器架構(gòu)。

先進連接技術(shù):完全符合 PCIe Gen 5和 CXL 2.0標準,能無縫集成至最新世代的數(shù)據(jù)中心架構(gòu)。

NV-CMM 在多個關(guān)鍵領(lǐng)域重新定義內(nèi)存:

加速存儲系統(tǒng):作為高速緩存層,NV-CMM顯著提升存儲系統(tǒng)整體性能。

強化數(shù)據(jù)恢復能力:在電力中斷或系統(tǒng)宕機時,有效確保數(shù)據(jù)完整性。

優(yōu)化虛擬化性能:大幅縮短虛擬機(VM)重啟時間,顯著降低云環(huán)境的停機風險。

高效寫入緩存:加快寫入確認(acknowledgment)時間,全面提升系統(tǒng)運行效率。

市場研究機構(gòu) TechInsights 的 Mike Howard 表示:“NV-CMM 內(nèi)存模塊的推出,成功響應了 AI、機器學習( ML)及大數(shù)據(jù)分析對內(nèi)存日益增長的需求,并象征CXL技術(shù)在行業(yè)邁向新階段的重要里程碑。 SMART 在該領(lǐng)域的創(chuàng)新,進一步鞏固了其在存儲行業(yè)的領(lǐng)導地位!

SMART NV-CMM目前已開始提供樣品,供企業(yè)客戶和系統(tǒng)集成商進行評估。 欲了解更多產(chǎn)品規(guī)格、價格和供貨信息,請參考產(chǎn)品網(wǎng)頁。

* 此圖像化的“S”和“SMART”,“SMART Modular Technologies”是 SMART Modular Technologies, Inc. 的商標。“Compute Express Link (CXL)”和所有其他商標和注冊商標所有權(quán)為各自所有。

關(guān)于SMART Modular世邁科技 (Penguin Solutions 旗下公司)

SMART Modular 世邁科技通過設計、開發(fā)和先進封裝技術(shù)提供集成式內(nèi)存解決方案,助力全球客戶實現(xiàn)高性能計算。我們的產(chǎn)品組合多元化,涵蓋最前沿的內(nèi)存技術(shù),以及標準型、傳統(tǒng) DRAM 內(nèi)存模塊和閃存產(chǎn)品。成立三十多年來,SMART 始終致力于提供標準型、加固型和定制化的內(nèi)存及存儲解決方案,以滿足高速增長市場的多樣化應用需求。

SMART 的 NV-CMM 采用 CXL® 標準,結(jié)合 DRAM 的高速性能與 NAND 閃存的持久性,為數(shù)據(jù)密集型應用提供前所未有的性能和可靠性。

SMART 的 NV-CMM 采用 CXL® 標準,結(jié)合 DRAM 的高速性能與 NAND 閃存的持久性,為數(shù)據(jù)密集型應用提供前所未有的性能和可靠性。


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